產(chǎn)品名稱：Si/SiO2襯底CVD-WSe2單層薄膜/多層薄膜

產(chǎn)品描述：

Si/SiO2襯底CVD-WSe2單層薄膜/多層薄膜齊岳生物 西安齊岳生物科技有限公司供應(yīng)氮化硼粉末、單層、少層氮化硼，異質(zhì)結(jié)，六方氮化硼納米片、原子摻雜六方氮化硼、以及功能化修飾氮化硼復(fù)合材料。供應(yīng)基底氮化硼B(yǎng)N（石英、PET、藍(lán)寶石、銅、氧化硅片、Si、Si/SiO2基底、玻璃基底等）,MoS2/WS2/hBN/Graphene異質(zhì)結(jié)、MX2/MX2/hBN/石墨烯異質(zhì)結(jié)、MX2/hBN異質(zhì)結(jié). 實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)生長(zhǎng)WSe2二硒化鎢連續(xù)大面積薄膜除了使用藍(lán)寶石襯底以外，還可以通過(guò)調(diào)控和優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件在二氧化硅襯底上生長(zhǎng)出厘米量級(jí)的單層和雙層WSe2連續(xù)大面積薄膜。CVD生長(zhǎng)WSe2大膜的生長(zhǎng)條件與制備大尺寸單層WSe2薄膜的工藝參數(shù)基本一樣，不同的是(1)硒丸的加熱溫度設(shè)置為420℃，(2)先將氧化鎢在970℃下保溫20min后再通入7sccm的氫氣。因?yàn)檠趸u的熔點(diǎn)高，不利于蒸發(fā)，在970℃下保溫20min使剛玉舟內(nèi)有足夠多的WOx蒸汽，再通入大量的氫氣硒源的還原性，可以使硒與氧化鎢迅速反應(yīng)生成二硒化鎢薄膜。 我們?cè)诖藯l件下，調(diào)控生長(zhǎng)時(shí)間從5min到25min，步長(zhǎng)為5min。如圖3-22(a)所示，當(dāng)生長(zhǎng)時(shí)間為5min時(shí)，基片上出現(xiàn)大量的二硒化鎢單晶。通過(guò)觀察低倍光學(xué)照片發(fā)現(xiàn)許多二硒化鎢拼接在一起，并在晶界處有雙層二硒化鎢生長(zhǎng)；觀察高倍光學(xué)照片和熒光照片發(fā)現(xiàn)二硒化鎢單晶不是一個(gè)干凈的正三角形，在邊緣出現(xiàn)許多“毛刺"和表面出現(xiàn)許多小點(diǎn)，尺寸在200μm左右。這是因?yàn)榇罅康臍錃庖耄诩涌於u生長(zhǎng)的過(guò)程中，還因?yàn)闅錃獾母g使二硒化鎢邊緣出現(xiàn)了一些缺陷加速WSe2橫向生長(zhǎng)。如圖3-22(b)所示，當(dāng)生長(zhǎng)時(shí)間為10min時(shí)，可以看到大面積連續(xù)的二硒化鎢薄膜，尺寸為1cm×1cm。通過(guò)高倍光學(xué)照片和對(duì)應(yīng)的熒光照片發(fā)現(xiàn)薄膜質(zhì)量比較均勻，單晶尺寸為150μm左右，但在晶界處有少量的多層二硒化鎢生長(zhǎng)。如圖3-22(c)、(h)和(m)所示，反應(yīng)時(shí)間為15min時(shí)，在單層WSe2薄膜表面可以觀察到大量的形核點(diǎn)，開始生長(zhǎng)二層二硒化鎢。這是因?yàn)樯L(zhǎng)時(shí)間增加，氫氣腐蝕薄膜表面，引入大量缺陷，由晶體學(xué)可知，晶體在缺陷處容易形核長(zhǎng)大。 如圖3-22(d)和(e)所示，繼續(xù)增加生長(zhǎng)時(shí)間，雙層二硒化鎢的覆蓋率增加，其中生長(zhǎng)時(shí)間為25min時(shí)，雙層二硒化鎢基本形成連續(xù)大膜，只有少量的空隙沒(méi)有生長(zhǎng)。研究生長(zhǎng)過(guò)程發(fā)現(xiàn)此方法生長(zhǎng)的雙層連續(xù)大膜的生長(zhǎng)方式為生長(zhǎng)完一層后再生長(zhǎng)二層，而不是由雙層二硒化鎢單晶拼接形成。 WSe2連續(xù)大面積薄膜的AFM表征 為了的判斷二硒化鎢薄膜的層數(shù)，我們對(duì)生長(zhǎng)時(shí)間為10min與25min時(shí)的樣品進(jìn)行AFM表征。圖3-24(a)為單層二硒化鎢大膜的原子力照片，將薄膜用鑷子輕輕刮一條痕跡暴露出WSe2薄膜下面的SiO2/Si襯底。從AFM照片中可以觀察到在襯底和薄膜表面上有許多亮點(diǎn)，這是因?yàn)榛L(zhǎng)時(shí)間暴露在空氣中，在SiO2襯底和薄膜表面吸附大量的雜質(zhì)。圖3-24(b)測(cè)量出二硒化鎢薄膜與SiO2襯底的臺(tái)階高度為0。76nm，與文獻(xiàn)中報(bào)道的單層WSe2厚度基本一致[44]。圖3-24(c)為雙層WSe2的原子力照片，表面比較平整干凈，質(zhì)量較好。測(cè)得二硒化鎢與SiO2襯底的臺(tái)階高度為1。66nm，與文獻(xiàn)中報(bào)道的雙層WSe2厚度基本一致[44]。證明了在生長(zhǎng)時(shí)間為10min與25min時(shí)的樣品確實(shí)為單層與雙層WSe2大膜。 其中在SiO2/Si襯底生長(zhǎng)出單層和雙層二硒化鎢大膜。并通過(guò)拉曼、光致發(fā)光譜、AFM和XPS對(duì)單層和雙層WSe2大膜進(jìn)行表征。測(cè)得單層WSe2大膜的PL峰值為1。59eV，厚度為0。76nm；雙層WSe2大膜的PL峰值為1。55eV，厚度為1。66nm。并對(duì)雙層WSe2薄膜進(jìn)行XPS表征，W4f7/2和W4f5/2兩個(gè)特征峰，其峰位分別位于32。82eV和41。16eV，Se2d5/2和Se2d3/2兩個(gè)特征峰峰位分別為55。17eV和57。68eV。 薄膜狀金屬氧化物產(chǎn)品列表： 氧化鈷CoO薄膜 二氧化錳MnO2薄膜 氧化鎳NI2O3薄膜 氧化鉭TaO薄膜 氧化鉍（BI2O3）薄膜 五氧化二鉭Ta2O5薄膜 氧化鍶SrO薄膜 氧化鈮NbO薄膜 氧化鋇BaO薄膜 氧化鉿HfO2薄膜 氧化錸ReO薄膜 氧化鋨OsO薄膜 氧化銥IrO2薄膜 氧化釙Po薄膜 氧化鐳RaO薄膜 氧化鏌McO薄膜 氧化鉨NhO薄膜 氧化鑭LaO薄膜 氧化鈰CeO薄膜 氧化鐠PrO薄膜 氧化釹NdO薄膜 氧化釤SmO薄膜 氧化銪EuO薄膜 氧化釓GdO薄膜 氧化鋱TbO薄膜 氧化鏑DyO薄膜 氧化鈥HoO薄膜 氧化鉺ErO薄膜 氧化銩TmO薄膜 氧化鐿YbO薄膜 氧化镥LuO薄膜 氧化錒AcO薄膜 氧化釷ThO薄膜 氧化鏷PaO薄膜 氧化鈾UO薄膜 氧化镎NpO薄膜 氧化钚PuO薄膜 氧化镅AmO薄膜 氧化鋦CmO薄膜 氧化锫BkO薄膜 氧化锎薄膜 氧化鍺GeO薄膜 氧化鉻CrO薄膜 氧化銠RhO薄膜 氧化釕RuO薄膜 CVD-少層氮化硼B(yǎng)N薄膜 CVD-多層氮化硼B(yǎng)N薄膜 CVD-單層氮化硼B(yǎng)N薄膜 CVD-三維氮化硼 硅基單層氮化硼B(yǎng)N薄膜 CVD-多層氮化硼B(yǎng)N薄膜 硅基氮化硼/石墨烯異質(zhì)結(jié) 基于硅基的CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)（11cm，4片裝） 基于硅基的CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)（11cm，8片裝） 基于285nm二氧化硅基底的單層氮化硼薄膜（1*1cm，4片裝） 基于銅基的單層氮化硼薄膜（5*2.5cm） 二硫化鉬/二硫化鎢/氮化硼/石墨烯薄膜 CVD-三維鎳基氮化硼B(yǎng)N泡沫 CVD-三維氮化硼B(yǎng)N泡沫 CVD-三維氮化硼B(yǎng)N泡沫 泡沫銅三維六方氮化硼薄膜(5*10cm) 泡沫銅三維六方氮化硼薄膜（10*10cm） 單層氮化硼溶液Monolayer h-BN Solution 氮化硼薄片粉末h-BN Flakes Powder h-BN?氮化硼晶體?(Hexagonal Boron Nitride 基于銅基的單層氮化硼薄膜（5*2.5cm） 基于銅基的多層氮化硼薄膜（5*2.5cm） 六方氮化硼晶體（20片裝） 銅基單層氮化硼薄膜 SiO2/Si襯底單層氮化硼薄膜 一步轉(zhuǎn)移法單層氮化硼薄膜 CVD六方氮化硼薄膜（基底可選） 單層、雙層、多層等需求定制；尺寸：1*1cm CVD六方氮化硼薄膜 基底：石英基底/PET基底/藍(lán)寶石基底/Sio2/Si 石英基底六方氮化硼薄膜 單層、雙層、多層六方氮化硼薄膜 PET基底六方氮化硼薄膜 藍(lán)寶石基底六方氮化硼薄膜 Sio2/Si基底六方氮化硼薄膜 285nm二氧化硅基底的單層氮化硼薄膜Sio2-hBN 基于銅基的單層氮化硼薄膜 廠家：西安齊岳生物科技有限公司 以上資料來(lái)自小編axc,2022.03.07 以上文中提到的產(chǎn)品用于科研，不能用于人體 相關(guān)目錄： 綠色二氧化硅熒光球 10UM （疏水） 血小板細(xì)胞膜包裹金屬-有機(jī)骨架(MOF)納

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主營(yíng)產(chǎn)品：COF、MOF單體系列：三蝶烯衍生物、金剛烷衍生物、四苯甲烷衍生物、peg、上轉(zhuǎn)換、石墨烯、光電材料、點(diǎn)擊化學(xué)、凝集素、載玻片、蛋白質(zhì)交聯(lián)劑、脂質(zhì)體、蛋白、多肽、氨基酸、糖化學(xué)等。